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磁控濺射鍍膜設(shè)備濺射原理分析
發(fā)布時間:2014-09-23 瀏覽:  次

  真空鍍膜機設(shè)備濺射鍍膜是把靶材和基體一起放入真空室中,然后利用正離子轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子、分子逸出并在基體表面上凝聚成膜。

  直流濺射真空鍍膜機直流濺射鍍膜又稱為陰極濺射鍍膜,真空室內(nèi)真空度先抽到10-2Pa以下,使工作氣壓為10Pa,靶上加的工作直流電壓-2KV~-5KV使之產(chǎn)生異常輝光放電,從而使靶材產(chǎn)生濺射。

  中頻濺射鍍膜鍍膜室常用于兩個并排安置,反應濺射鍍膜在濺射鍍膜時,將某種反應氣體通入鍍膜室并達到一定的分壓,即可改變或控制沉積特性,獲得不同于靶材的新物質(zhì)薄膜。

  磁控濺射鍍膜磁控濺射是70年代迅速發(fā)展起來的一種“高速低溫濺射技術(shù)”。

  磁控濺射是在陰極靶表面上方形成一個正交電磁場,真空鍍膜廠家當濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后,并不直接飛向陰極而是在正交電磁場作用下作來回振蕩運動。

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